算力成本矛盾已从芯片蔓延至内存、电源和终端设备全链条

高端铜箔供不应求，头部公司加码扩产

美光 CEO 桑杰 · 梅赫罗特拉：AI 已彻底改变内存行业周期性格局

谦合益邦打造全球首款4层3D DRAM存算一体芯片

SK海力士加速HBM"联合设计"战略

海力士发布下一代CPO路线图：CPO将延伸至内存接口

TrendForce：液冷散热成高端 AI 基础设施标配，预估 2026 年渗透率可达 53%

英伟达 Vera Rubin 平台产能拉升推高 TLC NAND 现货价格，512Gb 回升至 21 美元

闪迪计划 2027 年带来首个 HBF 样品，2028 年实现量产

SK海力士崔泰源：明年将迎最严重“存储荒”，AI客户需求几乎翻倍

联想集团董事长杨元庆：今明两年存储的供应紧张将会延续

AI服务器液冷投资向零部件纵深传导，液冷产业链迎订单验证关键窗口

为应对 HBM 短缺，消息称英伟达 Rubin Ultra 测试 192GB/256GB HBM4 版本

三星电子HBM4良率接近80%，计划下半年扩大高带宽内存市场份额

苹果被曝正在测试长鑫科技存储芯片，用于iPhone和MacBook

AI 需求挤爆云计算，消息称 AWS 要求工程师关闭闲置服务器减少资源浪费

抢铜潮扰动全球供应链 AI基建扩张之下算力金属供应承压

英伟达正考虑采取一项大胆举措来应对高带宽先进存储芯片短缺问题。

软银认为计算能力“明显短缺”是人工智能发展的巨大瓶颈。

马斯克：内存芯片的需求增长速度远远超过了供应增速

CoWoS封装产能告急，台积电进一步扩大外包产能

墨西哥成为美国AI服务器主要供应地，产业仍集中于组装环节

三星预测 2027 年内存短缺问题将进一步加剧，供应紧张至少持续至 2028 年

三星电子预计今年 AI 芯片需求继续强劲，供应短缺不会明显缓解

OpenAI、谷歌、Meta、贝莱德等大规模高薪招募电工木工

三星电机8月起MLCC价格上调30%，称供应链承压已达极限

SK海力士承诺将通过长期协议巩固其在HBM领域的领先地位。

三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺，速度较HBM4E提升50%以上

宇瞻预警：DRAM、企业级 SSD 供需失衡将至少持续到明年上半年

五大半导体设备商交付周期延长50~100%，AI需求致设备供不应求，芯片厂被迫提前下单抢产能

SK海力士在美招募DRAM-逻辑3D堆叠人才，面向设备内AI市场，旨在突破标准LPDDR带宽不足的端侧推理瓶颈

三星显示高管确认AI芯片需求推高定价，成本压力已传导至元器件和显示环节，将显著削弱手机等终端销量

SK海力士批准7万亿韩元HBM封测产能投资，加速洁净室启用，印证内存已成算力扩张关键瓶颈与重大投入环节

AI算力数据中心光模块需求激增，上游高纯红磷供需缺口扩大，日本两家企业垄断超80%份额，国内企业加速试产替代

英伟达Vera Rubin NVL72以“每兆瓦吞吐量”为核心指标提升10倍，端到端验证涵盖电源、冷却、网络，30国350+工厂支撑机架级供应链

台积电计划2027年起将先进及成熟芯片代工价格上调最高10%，因海外建厂及AI研发资本支出上升

NVIDIA因高内存价格压力新增Jetson Thor中端模组并推出内存优化工具，以降低终端算力成本

马斯克斥10亿美元收购燃气轮机制造商APR Energy，为AI数据中心补充超1吉瓦电力，电力成为算力关键瓶颈

HBM4价格明年有望从每Gb 2美元翻倍至4-5美元，产能被三星等巨头3-5年长期合同锁定，中小客户面临缺货

韩日团队提出V-Die等侧立DRAM方案攻关HBM散热与带宽瓶颈，仿真吞吐较HBM4高82%，印证内存已成AI算力关键瓶颈

英伟达Rubin Ultra单柜售价2100万美元，其中HBM4e内存成本超150万美元，内存成为算力成本重要组成部分

苹果公司正积极寻求从中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT）采购内存芯片，以应对AI热潮引发的存储芯片价格飙升，终端巨头向内存供应链纵向整合以管控成本

AI数据中心实际耗水量远超企业披露，发电间接用水成巨大隐形消耗，算力成本矛盾扩展至水资源环节

美光斥资93亿美元扩建广岛工厂专产HBM，2028年出货，印证AI内存产能缺口巨大、需巨额投资填补

三星SDI获2万亿韩元AIDC电池电芯订单，数据中心电池需求激增，电源环节投资规模显著扩大

Valar成功用先进核反应堆为英伟达Blackwell芯片供电，AI算力电力需求已推动核能级能源方案实际落地验证

阿波罗报告指出GPU、存储、电力和电网接入同时承压，智能体Token消耗达传统请求100至1000倍

三星HBM4E良率升至70%但仍未达80%成熟门槛，内存环节仍是算力全链条关键攻关瓶颈

SK海力士HBM工厂设备订单达4000亿韩元，零部件交期超一年，集团追加100万亿韩元投资，内存供应链成本压力显著

AI引发全球内存芯片短缺（RAMageddon），韩国三星与SK海力士承诺投超5180亿美元建四座新内存工厂应对

华邦加入台积电WoW先进封装内存晶圆供应链，内存厂商密集进入先进封装环节，印证内存已成算力链关键瓶颈

三星与SK海力士拟合计投资81万亿韩元建设HBM封装设施，两大巨头同步扩产印证内存环节已成AI算力关键瓶颈

三星电机获5000亿韩元AI服务器MLCC大单，并与住友化学合资5000亿韩元建玻璃基板厂，算力投资从芯片扩至元器件全链条

美光科技宣布下一代DRAM与NAND预计明年下半年量产，头部存储厂商加速迭代印证内存已成算力成本链条关键瓶颈环节

英伟达向PCB供应商胜宏科技施压降价10%，算力成本管控从芯片延伸至印制电路板等周边环节

SPHBM4标准正式获批，针对HBM封装成本高昂瓶颈实现标准化突破，内存环节成本矛盾获结构性缓解路径

CPO量产如期未延期，但量产卡点正从封装环节向上游转移，印证算力瓶颈在全链条蔓延扩散

SK海力士放缓HBM4量产并将资源重新分配至通用DRAM，AI专用内存供给端主动收缩，印证算力成本矛盾在内存环节持续存在

中国移动冯俊兰公开警示AI基础设施面临“算力通胀”风险，确认算力投入膨胀与成本压力正向全链条蔓延

英伟达Rubin平台即将量产，100%液冷架构强制要求所有云服务商和数据中心运营商完成液冷转型，散热基础设施成新成本门槛

SK海力士已出货12层HBM4E存储芯片样品，内存环节持续高密度迭代，印证算力瓶颈向内存链延伸

阿斯麦对马斯克Terafab项目发出供应限制警告，算力扩张瓶颈已蔓延至上游光刻机设备供给环节

英伟达公布AI基础设施扩建计划，砸重金扩产磷化铟光通信材料，算力成本压力从GPU向上游光互联材料端蔓延

AI产业拉动铜价飙升至日本10日元硬币金属价值超面值，成本压力从芯片扩散至基础金属材料全链条

AI算力铜箔厂商在手订单排至2027年下半年，认证周期长达1-3年且仅全球少数龙头获批，基材环节供需严重失衡

SK海力士宣布2034年前晶圆产能提高两倍，印证AI存储芯片需求激增，内存已成算力全链条核心瓶颈

MacBook Neo 2为运行最强本地AI模型需将内存增配50%至12GB，印证端侧AI对内存资源的刚性需求升级

马斯克公开表示美光产能远不及芯片实际需求，头部AI需求方直接确认内存产能瓶颈严重

OWC发布基于群联aiDAPTIV的外置内存化闪存方案，AI内存瓶颈已催生独立硬件产品品类

富士康为服务器展示液冷版RTX 6000 Blackwell GPU，GPU功耗已需专用液冷基础设施配套解决

英伟达CEO黄仁勋公开表示内存短缺将持续数年，确认内存供需瓶颈长期化，算力全链条成本压力加剧

RAM商家已开始促销清仓，为高价新货腾空间，内存涨价压力正从供应链向渠道端实际传导

三星首次展示HBM5下一代高带宽内存，头部厂商持续加码内存环节技术迭代，印证算力瓶颈向内存延伸

瑞声科技MEMS压电主动散热芯片进入量产出货，终端热管理环节催生专用芯片，印证算力矛盾向全链条蔓延

三星开始向全球客户发运12层HBM4E样品，AI高端内存持续升级，印证算力成本向内存链条蔓延

英伟达CEO黄仁勋公开呼吁内存供应商尽快提高产能，直接确认内存已成为AI算力供给的关键瓶颈环节

三星电机MLCC未来三年产能被AI服务器等客户预先抢占，产能利用率超96%，现货价格上涨超20%，交期拉长至24周

ASML CEO确认AI需求强劲致芯片市场将长期「供应受限」，马斯克TeraFab扩产计划亦在推进中

三星电机首获约10亿美元AI服务器用硅电容器大单，电源级元器件成为AI算力供应链独立大规模商业市场

能量桥完成新一轮融资，正推进中国首个AI数据中心1MW级超导配电Demo工程，电源环节获资本投入加速突破

ADI以15亿美元、28倍营收溢价收购AI电源管理创企Empower，印证电源已成AI算力关键瓶颈环节

微软因内存涨价被迫推出8GB版Surface Laptop，未达自家AI PC 16GB最低要求，无法运行Copilot+功能

Imec首次实现3D CCD内存功能性3D原型，专为解决AI推理「内存墙」瓶颈，位元密度预估达DRAM五倍，但仍处概念验证阶段。

黄仁勋公开表态未来十年AI基建扩建难度持续加大，涉及能源、土地、资源等全链条瓶颈，印证成本矛盾蔓延。

三星HBM用1b DRAM良率升至92%、1c DRAM破75%，内存制造成本获压倒性优势，供给端成本矛盾局部缓解。

因AI热潮耗尽库存，苹果将Mac Mini起售价调高200美元。

中国AI需求推动英伟达B300服务器价格飙升至百万美元。

虎嗅嗅

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